Xina És un provador ràpid aplicat a les proves de característiques bàsiques i de protecció de PCM d'1 cable en paquets de bateries d'ions L 1S8 i 2S.L'IC aplicable inclou els Ics de gestió de sèries de TI Corporation (com ara BQ27742, BQ277410 BQ28z610, BQ 27541, BQ 27545 BQ2753X).fabricant i proveïdor |Nebulosa

És un provador ràpid aplicat a les proves de característiques bàsiques i de protecció de PCM d'1 cable en paquets de bateries d'ions L 1S8 i 2S.L'IC aplicable inclou els Ics de gestió de sèries de TI Corporation (com ara BQ27742, BQ277410 BQ28z610, BQ 27541, BQ 27545 BQ2753X).

És un provador ràpid aplicat a les proves de característiques bàsiques i de protecció de PCM d'1 cable

en paquets de bateries d'ions L 1S8 i 2S.L'IC aplicable inclou la gestió de sèries de TI

Corporació (com ara BQ27742, BQ277410 BQ28z610, BQ 27541, BQ 27545 BQ2753X).

CONTACTE ARA

Compatible amb molts tipus de Gas Gauge IC, alt

precisió i velocitat de prova ràpida

Els canals funcionen de manera independent

estalviant temps de prova i mà d'obra

Disseny modular de canals per a un fàcil manteniment i

substitució;Funció d'informe de dades riques

Alta precisió

Model	BAT-NEDQ-04-V009
Paràmetre	Interval	Precisió
Tensió de sortida de la bateria analògica	50-2000mV	±(0,01%R.D+0,019FS)
Tensió de sortida de la bateria analògica	2000-5000mV	±(0,019%R.D+0,01%FS)
Corrent de sortida de la bateria analògica	0-3000mA	±(0,01%R.D+0,02%FS)
Sortida del carregador/tensió mesurada	20-5000mV	±(0,01%R.D+0,05%FS)
Sortida del carregador/tensió mesurada	5000-10000mV	±(0,1% R.D+5mV)
Sortida del carregador/corrent mesurat	20-3000mA	±(0,1% R.D+1mA)
Tensió de sortida de la bateria analògica Mesurament	50 ~ 1000 mV	±(0,01%R.D+0,1%FS)
Tensió de sortida de la bateria analògica Mesurament	1000 ~ 5000 mV	±(0,01%R.D+0,01%FS)
Mesura analògica del corrent de la bateria (Consum actual)	(mAlevel) 0~1000mA	±0,01% R.D+0,02%FS
	(mAlevel) 1000~3000A	±0,01% R.D+0,02%FS
	(nivell uA) 1~2000uA	±0,01% R.D+1uA
	(nivell nA) 20 ~ 1000 nA	±0,01%R.D+20nA
PACK Mesura de corrent	200-10000mV	±(0,02%R.D+0,01%FS)